Semikron SKM75GB123D 75A 1200V IGBT Modülü

Semikron SKM75GB123D 75A 1200V IGBT Modülü

Ürün kodu: SKM75GB123D
Marka: Semikron
Ürün ailesi: SEMITRANS
Ürün türü: Çift IGBT güç modülü
Devre topolojisi: Half-bridge / yarım köprü
IGBT sayısı: 2
Kolektör-emiter gerilimi: 1200 V
Nominal kolektör akımı: 75 A
Maksimum gate-emiter gerilimi: ±20 V
Kolektör-emiter doyum gerilimi: Yaklaşık 3,2 V maksimum
Maksimum birleşim sıcaklığı: 150 °C
Güç kaybı sınıfı: 400 W
Gövde: SEMITRANS 2
Yaklaşık ölçüler: 94 × 34 × 30,5 mm
Montaj: Vidalı güç terminalleri ve soğutucu montajı
Dahili yapı: İki IGBT ve hızlı serbest dolaşım diyotları

Teknik kaynaklar SKM75GB123D’nin 75 A, 1200 V değerlerine sahip çift IGBT modülü olduğunu; SEMITRANS 2 paket, vidalı terminal ve 150 °C maksimum birleşim sıcaklığı sunduğunu doğrulamaktadır.

Semikron SKM75GB123D, yüksek gerilimli anahtarlama ve güç dönüştürme uygulamaları için geliştirilmiş 75 A, 1200 V sınıfında çift IGBT güç modülüdür. SEMITRANS 2 gövde içerisinde iki adet N-kanal IGBT ile bu anahtarlara paralel bağlı hızlı serbest dolaşım diyotları bulunur. Modülün yarım köprü devre yapısı, bir inverter fazının kompakt şekilde oluşturulmasına imkân verir.

Üç adet SKM75GB123D modülü kullanılarak üç fazlı motor sürücü çıkışı oluşturulabilir. Uygun devre bağlantısıyla DC kıyıcılar, UPS sistemleri, kaynak makineleri, servo sürücüler, yenilenebilir enerji dönüştürücüleri ve endüstriyel güç kaynaklarında da kullanılabilir. 1200 V kolektör-emiter gerilim sınıfı, özellikle 380–480 V AC şebekeyle çalışan inverter sistemlerinde gerekli DC bara ve anahtarlama gerilimi dayanımını sağlar.

Her IGBT’ye paralel bağlanan hızlı diyot, motor ve transformatör gibi endüktif yüklerde anahtar kapandığında akımın devam edebileceği serbest dolaşım yolunu oluşturur. Düşük endüktanslı paket yapısı, anahtarlama sırasında oluşan gerilim darbelerinin sınırlandırılmasına yardımcı olur. Bununla birlikte DC bara bağlantılarının kısa ve geniş tasarlanması, uygun snubber elemanlarının kullanılması ve gate sürücü devresinin doğru ayarlanması gerekir.

Üst ve alt IGBT’nin aynı anda iletime geçmesini önlemek için PWM sinyalleri arasında yeterli dead-time bırakılmalıdır. Gate direnci, anahtarlama frekansı ve gate sürücü gerilimi uygulamanın akımına göre seçilmelidir. Aşırı hızlı anahtarlama elektromanyetik paraziti ve gerilim tepe değerlerini artırabilir.

Montaj sırasında modülün yalıtımlı taban plakası temiz ve düz bir soğutucuya bağlanmalıdır. Termal macun ince ve homojen uygulanmalı, montaj vidaları üreticinin belirttiği torkla sıkılmalıdır. Değişim öncesinde gate sürücüleri, DC bara kondansatörleri, motor izolasyonu ve aşırı akım koruma devresi mutlaka kontrol edilmelidir.

Uyumluluk notu: SKM75GB123D yerine benzer görünümlü bir modül kullanılacaksa yalnızca 75 A ve 1200 V değerleri yeterli değildir. Half-bridge devre yapısı, gate-emitter pinleri, terminal yerleşimi, paket ölçüleri, anahtarlama karakteristiği ve soğutucu bağlantısı birlikte karşılaştırılmalıdır.